| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
5,0ММ, КРАСНЫЙ, 0,9МКД АЛ307БМ ЛУЖЕНИЕ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CF12R202JT |
|
|
CCO
|
25 120
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
|
RL1210FR-070R1L |
|
|
YAGEO
|
29 992
|
1.70
|
|
|
|
|
RL1210FR-070R1L |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
3 931
|
7.36
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
БРЕСТ
|
1 920
|
17.56
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
3 931
|
7.36
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
СЗТП
|
26
|
16.40
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
560
|
11.96
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 192
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.49
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3 200
|
49.59
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
1404
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
348
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
570
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
6000
|
|
|
|
Версия для печати
