IRF7326D2PBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | FETKY™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
