Версия для печати
Технические характеристики B32529C105K

Производитель	EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Количество в упаковке	1500 шт.
Вес	0.482 г
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	63 В
Номинальное переменное напряжение	40 В
Диэлектрик	Polyester
Номинальное напряжение	63 В
Размер	9.5x4.5x7.3
Шаг выводов	5
Стиль	MKT
Рабочая температура	-55...125 °C
	Metallized polyester film capacitors (MKT); G
Емкость	1 мкФ
Серия	B3252
Корпус (размер)	PIN
Тип монтажа	Выводной
Тип	Пленочный
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - AC	40V
Voltage - DC	63V
Dielectric Material	Polyester, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm)
Высота	0.374" (9.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.197" (5.00mm)
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B32529C224K		Пленочный конденсатор 0.22 мкФ 63 В	EPCOS
		B32529C224K		Пленочный конденсатор 0.22 мкФ 63 В
		B32529C224K		Пленочный конденсатор 0.22 мкФ 63 В	EPCOS Inc
		B32529C224K		Пленочный конденсатор 0.22 мкФ 63 В	EPCS
		B32529C224K		Пленочный конденсатор 0.22 мкФ 63 В	TDK EPCOS
		B32529C224K		Пленочный конденсатор 0.22 мкФ 63 В	TDK-EPC
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 964	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	484	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	4.36
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	27 106	6.94
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		ESX25В-220МКФ8X12			HITANO
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	ANALOG DEVICES
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	ANALOG
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	Analog Devices Inc
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	США
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	AD1
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C
		OP275GPZ		2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	ADI
		SK035M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В	YAGEO	1	6.26
		SK035M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK035M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"