|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-27 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
1 868
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
HOTTECH
|
624 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
TRR
|
1 026 520
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
|
131
|
18.90
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
NXP
|
645
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
PHILIPS
|
92
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
JCET
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
YJ
|
101 960
|
3.59
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
KEFAN
|
2 394
|
3.47
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
HOTTECH
|
2 200
|
4.42
|
|
|
|
BCP56 |
|
Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 841
|
8.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
1 021
|
14.72
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.47
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 572
|
8.69
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
17.01
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
2.25
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.60
|
|