ГД508А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	MURATA
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	Murata Electronics North America
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	MUR	130 927	19.48
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%		400
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	MURA
MMBFJ310		FAIR
MMBFJ310		FAIRCHILD
MMBFJ310		FAIRCHILD
MMBFJ310		Fairchild Semiconductor
MMBFJ310
MMBFJ310		FSC
MMBFJ310		ONS
MMBFJ310		ONS-FAIR
КВ139АТ			802	32.79
КВ139АТ			802	32.79
КВ139АТ		ТОМСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	124	39.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		382	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
ТОТ-18			1	280.00
ТОТ-18		ИЗУМРУД
ТОТ-18		СТАВРОПОЛЬ