Версия для печати
Технические характеристики КР574УД1Б

Количество каналов	1
Напряжение питания,В	±15
Частота, МГц	10
Напряжение смещения, мВ	25
Температурный диапазон, C	-10…+85
Тип корпуса	DIP8

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		A740			TPI (Test Products Int)
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением		399	107.10
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением	МИКРО-М	208	127.92
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением	ТОНДИ
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением	МИКРО М
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением	RUS
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением	МИКРОМ
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением	МОСКВА
		КР574УД1А		Быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением	ТЭЗ
		КР574УД1В		(AD513)		132	96.90
		КР574УД1В		(AD513)	ТОНДИ	290	26.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	3 695	5.87
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	10 214	2.92
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		12 076	1.13
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	5 486	1.92
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	19 200	1.31
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		ВП2Б-1В 2 А		Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...	РАДИОДЕТАЛЬ
		ВП2Б-1В 2 А		Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...
		ВП2Б-1В 2 А		Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...	РАДИОДЕТ	1 140	46.12
		К155ИД1		Высоковольтный 4-разрядный дешифратор		846	88.56
		К155ИД1		Высоковольтный 4-разрядный дешифратор	МИНСК
		К155ИД1		Высоковольтный 4-разрядный дешифратор	RUS
		К155ИД1		Высоковольтный 4-разрядный дешифратор	ИНТЕГРАЛ
		КП707В1				6	201.60
		КП707В1			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КП707В1			ВОРОНЕЖ	185	100.00
		КП707В1			ВОРОНКЕЖ
		ТО125-12.5-10		Тиристор оптронный фланцевого исполнения, для работы в цепях постоянного и переменного ...			609.20
		ТО125-12.5-10		Тиристор оптронный фланцевого исполнения, для работы в цепях постоянного и переменного ...	RUS
		ТО125-12.5-10		Тиристор оптронный фланцевого исполнения, для работы в цепях постоянного и переменного ...	АСТРА ЭЛЕКТРО	4	3 539.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"