FDC658AP
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 470pF @ 15V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SOT |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 11/May/2007 Cu Wire Change 30/July |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | SK |
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | 1 | 604.80 | ||
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | 1 |
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W | 4-7 НЕДЕЛЬ | 304 |
|
|
| ZXMN6A07FTA | ZETEX |
|
|
|||||
| ZXMN6A07FTA | ZETEX |
|
|
|||||
| ZXMN6A07FTA | Diodes/Zetex |
|
|
|||||
| ZXMN6A07FTA | DIODES INC. |
|
|
|||||
| ZXMN6A07FTA |
|
|
||||||
| ZXMN6A07FTA | DIODES |
|
|
|||||
| ZXMN6A07FTA | TECH PUB |
|
|
