IRF7309TR


IRF7309TR (заказ)
IRF7309TR

Технические характеристики IRF7309TR

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 2.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A, 3A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds520pF @ 15V
Power - Max1.4W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru