| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B180E 250V. 5A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B66418-B1008-D1 (B66418-W1008-D1), EFD20 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
10.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
238 545
|
2.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 218
|
2.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 404 163
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
85 559
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
2.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 499 166
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
466 794
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
122 963
|
1.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
263 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
266
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
166 340
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
38
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
3 224
|
12.37
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
|
7 748
|
3.10
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
КИТАЙ
|
8
|
24.20
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YJ
|
35 401
|
5.17
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
14
|
9.64
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
---
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KLS
|
236
|
10.84
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE
|
16 480
|
3.58
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
HOTTECH
|
9 865
|
3.79
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
WUXI XUYANG
|
3
|
8.79
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SEP
|
8
|
25.51
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
TRR
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KOME
|
3 176
|
4.64
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KEEN SIDE
|
5 457
|
2.15
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
RUME
|
400
|
2.42
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 324
|
152.15
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
|
8
|
226.80
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
273
|
|
|