BUK9Y19-55B,115


BUK9Y19-55B,115 (заказ)
BUK9Y19-55B,115 MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK

Технические характеристики BUK9Y19-55B,115

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.3 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C46A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1992pF @ 25V
Power - Max85W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-100, SOT-669
КорпусLFPAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru