IRLR3110ZTRRPBF


Купить IRLR3110ZTRRPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRLR3110ZTRRPBF MOSFET N-CH 100V 42A DPAK MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики IRLR3110ZTRRPBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 38A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C42A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs48nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3980pF @ 25V
Power - Max140W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRLR3110ZTRRPBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход