|
Транзистор MOSFET , N- канальный |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Power - Max | 33W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
|
FQPF5N60C (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
FZT968TA |
|
Транзистор структуры PNP -12В, 6A, 3Вт , 80МГц | Diodes/Zetex |
|
|
|
|
|
|
FZT968TA |
|
Транзистор структуры PNP -12В, 6A, 3Вт , 80МГц |
|
|
||
|
|
|
FZT968TA |
|
Транзистор структуры PNP -12В, 6A, 3Вт , 80МГц | DIODES |
|
|
|
| G4A01216C | THERMODISC |
|
|
|||||
| G4A01216C | THERMODISC |
|
|
|||||
| HER207 (2A 800V) |
|
|
||||||
|
|
|
UBA2021P/N2,112 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
UBA2021P/N2,112 |
|
NXP | 6 796 |
|
||
| С2-10-0,5-20,5 ОМ-0,5% |
|
|