|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805
|
VISHAY
|
18 477
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805
|
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
2 132
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM
|
9 913
|
10.89
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM/AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROAD
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROADCOM
|
26
|
12.40
|
|
|
|
LM5022MM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM5022MM |
|
|
|
1
|
435.96
|
|
|
|
LM5022MM |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM5022MM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM5022MM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
585
|
|
|
|
|
MAL202136101E3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MAL202136101E3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
|
Vishay/BC Components
|
|
|
|
|
|
MAL202136101E3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 083
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 120
|
21.70
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|