|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 190
|
7.99
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
8 978
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
TECH PUB
|
340 873
|
2.50
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
STMICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
HOTTECH
|
2 576
|
2.48
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
TECH PUBLIC
|
168
|
3.10
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
117 980
|
2.32
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
|
140
|
4.68
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MUR
|
588 168
|
1.08
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм
|
BOURNS
|
95 809
|
2.54
|
|
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм
|
|
8
|
6.76
|
|
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм
|
0.00
|
|
|
|
|
|
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом
|
BOURNS
|
29 608
|
2.32
|
|
|
|
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом
|
|
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
122
|
25.41
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
|
|
40.80
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
ONS
|
1 936
|
47.12
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
ONSEMI
|
70
|
155.98
|
|
|
|
NCP1117ST50T3G |
|
Стабилизатор напряжения линейный Напряжение 5В, Ток 1А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
790
|
|
|