| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
DC COMPONENTS
|
4 291
|
10.53
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MI
|
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
|
14 668
|
3.16
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MIC
|
3 627
|
5.53
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YJ
|
24 102
|
4.95
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
KINGTRON
|
2 372
|
9.49
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
КИТАЙ
|
800
|
22.68
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
HOTTECH
|
46 790
|
4.41
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
TRR
|
2 400
|
2.92
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
RUME
|
13 200
|
2.57
|
|
|
|
|
GRM21BR71E104KA01L |
|
|
MURATA
|
37 895
|
1.82
|
|
|
|
|
GRM21BR71E104KA01L |
|
|
MURATA
|
6 192
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71E104KA01L |
|
|
|
|
2.56
|
|
|
|
|
GRM21BR71E104KA01L |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71E104KA01L |
|
|
MUR
|
60 207
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
 |
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
|
13 620
|
7.72
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
304
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INFINEON
|
78 720
|
10.31
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TRR
|
1
|
5.17
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
MURATA
|
21 440
|
7.48
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
MUR
|
180 684
|
4.10
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
MCP6S21-I/P |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP6S21-I/P |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP6S21-I/P |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MCP6S21-I/P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
68
|
|
|
Версия для печати
