|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK2267 |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2267 |
|
|
|
|
865.20
|
|
|
|
2SK2267 |
|
|
TOS
|
21
|
1 028.28
|
|
|
|
EFUSE LP60-005F |
|
|
WAYON
|
|
|
|
|
|
EFUSE LP60-005F |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
EFUSE LP60-005F |
|
|
|
|
|
|
|
|
FM24C256-G |
|
Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
FM24C256-G |
|
Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...
|
RAM
|
|
|
|
|
|
FM24C256-G |
|
Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...
|
|
103
|
540.54
|
|
|
|
FM24C256-G |
|
Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
FM24C256-G |
|
Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
FM24C256-G |
|
Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
625
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
440
|
121.59
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
895
|
107.74
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 204
|
75.07
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 344
|
120.59
|
|
|
|
SS19T |
|
|
HONEYWELL
|
|
|
|
|
|
SS19T |
|
|
|
|
122.80
|
|