КТ814Б БЕЗ МАРКИРОВКИ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ814Б БЕЗ МАРКИРОВКИ	1 725	18.90

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К511ЛА5	Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В		3 692	28.89
К511ЛА5	Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	ИЗОТРОН
К511ЛА5	Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	МИНСК
К511ЛА5	Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	RUS
К511ЛА5	Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	ИЗОТРОН, ЛИДА	504	144.65
К511ЛА5	Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В	381
К511ЛИ1	Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.			26.96
К511ЛИ1	Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.	ИЗОТРОН
К511ЛИ1	Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.	МИНСК
К511ЛИ1	Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.	RUS
К511ЛИ1	Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.	ИЗОТРОН, ЛИДА
КТ203Б	никель		66	185.00
КТ203Б	никель	АЛЕКСАНДРОВ
КТ203Б	никель	ДАЛЕКС
КТ203Б	никель	АЛЕКСАНДРОВБ/УП
КТ203Б	никель	RUS
КТ203Б	никель	ЭЛЕКС	144	475.27
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	124	39.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		520	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А		1 093	34.04
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	КРЕМНИЙ	824	32.79
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	БРЯНСК	5 308	44.52
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	МИНСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	УЛЬЯНОВСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	ИНТЕГРАЛ
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	1749
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	5000