| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
|
3 693
|
28.89
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
504
|
144.65
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
381
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
|
80
|
214.72
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
|
68
|
185.00
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
АЛЕКСАНДРОВБ/УП
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
ЭЛЕКС
|
136
|
475.27
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
49
|
46.85
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
238
|
75.60
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
|
1 058
|
27.60
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
БРЯНСК
|
5 244
|
37.59
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
1749
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
5000
|
|
|
|