| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
308
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
910
|
19.24
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
1
|
29.04
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
135
|
113.18
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
WTE
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
|
3
|
218.30
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
MIC
|
388
|
72.47
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YJ
|
15 830
|
60.80
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
WUXI XUYANG
|
2 436
|
65.08
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YANGJIE
|
11 160
|
67.54
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YS
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
KLS
|
3 680
|
101.25
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
SEP
|
12
|
50.86
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
KBPC3510 |
|
Диодный мост 35A, 1000V
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
|
1
|
29.60
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM239N |
|
Счетверенный компаратор
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
145
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
|
|
58.80
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ISC
|
1 526
|
63.37
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
176
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
|
329
|
34.96
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
28.35
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
БРЯНСК
|
344
|
37.80
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|