| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
10A10 (10A,1000В) R-6 ДИОД HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
1 336
|
35.15
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
ПРОТОН
|
234
|
113.65
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
|
124
|
27.75
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
56.70
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 147
|
16.65
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
60.48
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
154
|
36.12
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
521
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
18.76
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
|
|
67.20
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ИНТЕГРАЛ
|
622
|
71.87
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
