| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
10.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
228 138
|
2.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 859
|
2.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 564 036
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
102 515
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 516 214
|
0.93
>500 шт. 0.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
524 798
|
1.71
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
134 456
|
1.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
271 200
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
508
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
173 380
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
157 023
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
70
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
|
40
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFUC20 |
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 2А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFUC20 |
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 2А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFUC20 |
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 2А
|
|
|
208.52
|
|
|
|
IRFUC20 |
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 2А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
27
|
|
|
|
|
IRFUC20 |
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 2А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFUC20 |
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 2А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
|
33 736
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
UTC
|
11 366
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIOTEC
|
592
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
9 780
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
7 462
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
9 897
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGWELL TECHINOLOGY CORP LTD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
RECTRON
|
52
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
INFINEON
|
17
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
HOTTECH
|
47 508
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YJ
|
476 630
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
JSCJ
|
17 421
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KEEN SIDE
|
10 013
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YANGJIE
|
6 544
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
7234
|
|
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
|
|
76.80
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
ТЭЗ
|
80
|
245.95
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|