| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
195
|
15.12
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
47 962
|
3.58
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
140
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
120
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
85
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MIC
|
160
|
3.15
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YJ
|
3 260
|
8.37
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
6 200
|
5.17
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KLS
|
2 800
|
5.17
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
231 084
|
3.19
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
LGE
|
16
|
4.13
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
9 621
|
6.43
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
5 004
|
5.42
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
7 974
|
2.34
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
|
|
32.56
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LGE
|
11 665
|
1.86
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH/NXP
|
32
|
29.04
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LUGUANG
|
6 957
|
1.74
|
|
|
|
|
BYV95C |
|
Быстрый выпрямительный диод 600V, 1.5A, <250nS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYV95C |
|
Быстрый выпрямительный диод 600V, 1.5A, <250nS
|
|
|
25.12
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
32
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
|
880
|
18.42
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP32C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=100В, Ic=3A, P=40Вт, f=3MHz, h>25, -65 ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
PI
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
|
|
222.92
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
499
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
|
|
592.40
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP224P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
82
|
|
|