B43458A9338M


Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 400 В

Купить B43458A9338M ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
B43458A9338M
Версия для печати

Технические характеристики B43458A9338M

ПроизводительEPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Допуск емкости±20%
Емкость3300 мкФ
Эквивалентное последовательное сопротивление23 мОм
Максимальный ток пульсаций11 А
Срок службы12000 Ч
Размер корпусаф 64.3x105.7
Рабочая температура-40...85 °C
Номинальное напряжение400 В
СерияB43458
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)Screw Terminal
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    B013 МЕТАЛЛИЧ.     GAINTA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    B013 МЕТАЛЛИЧ.       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS 1 1.36 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     3 614 2.00 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY, LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR 11 847 цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FUXIN 163 740 2.26 
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   AVAGO Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   BRO/AVAG Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА     2 325.08 
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet     45 293.42 
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet     45 293.42 
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   ST MICROELECTRONICS SEMI 1 200 цена радиодетали
    VS-10ETF12-M3     VISHAY 804 143.17 
    VS-10ETF12-M3       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход