SIR164DP-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SIR164DP-T1-GE3 (SILICONIX.) |
1 400 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
SIR164DP-T1-GE3 (VISHAY.) |
13 367 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики SIR164DP-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3950pF @ 15V |
| Power - Max | 69W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
