IRF7343TRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 1.3 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| 0.125ВТ 0805 2.4 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
 |
BC847B,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
4 |
|
|||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEXPERIA |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NXP/NEXPERIA | 1 | 1.32 | ||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEX-NXP |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEXPERIA | 1 | 3.30 | ||
| BSS139H6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BSS139H6327 |
|
|
||||||
 |
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 108 | 63.00 | ||
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 549 | 33.92 | |
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 278 |
|
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 619 |
|
|
