| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
|
|
19.40
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
56
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMCMICRO
|
1 212
|
9.85
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMC
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
KLS
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
LGE
|
1 588
|
7.90
|
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
|
|
28.28
|
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SFH756V |
|
Элемент ОВЛС
|
OSR
|
|
|
|
|
|
|
SFH756V |
|
Элемент ОВЛС
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
SFH756V |
|
Элемент ОВЛС
|
|
|
1 448.00
|
|
|
|
|
SFH756V |
|
Элемент ОВЛС
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SFH756V |
|
Элемент ОВЛС
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
|
SFH756V |
|
Элемент ОВЛС
|
BRO/AVAG
|
2 080
|
1 526.43
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
3 719
|
29.44
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
12 506
|
33.92
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
1058
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
14555
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
|
3 529
|
30.36
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
МИНСК
|
19 099
|
36.04
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
704
|
86.79
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
1900
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
21984
|
|
|
|