IRL6342TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRL6342TR		50.00

Версия для печати

Технические характеристики IRL6342TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1025pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.