Версия для печати
Технические характеристики CRCW0805510RFKEA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CRCW
Сопротивление (Ом)	510
Мощность (Ватт)	0.125W, 1/8W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±1%
Size / Dimension	0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Высота	0.020" (0.50mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	0805 (2012 Metric)
Tolerance	±1%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 791	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 009	10.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	1 160	7.88
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		CRCW0805100RFKEA		Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805	VISHAY
		CRCW0805100RFKEA		Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805	VISHAY	18 477
		CRCW0805100RFKEA		Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805	Vishay/Dale
		CRCW0805100RFKEA		Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	VISHAY
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт		320	10.00
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	VISHAY	7 741
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	Vishay/Dale
		IRLML0030TRPBF		Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1	46.81
		IRLML0030TRPBF		Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	114
		IRLML0030TRPBF		Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	INFINEON	38 312	11.18
		IRLML0030TRPBF		Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...		3 840	8.44
		IRLML0030TRPBF		Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	HOTTECH
		IRLML0030TRPBF		Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	KLS
		RC0805JR-0720KL			YAGEO	560 260	0.60  >1000 шт.   0.12
		RC0805JR-0720KL			YAGEO
		RC0805JR-0720KL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"