IRL3705N
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
Транзистор полевой N-MOS |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 46A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 89A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 98nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL3705NL (N-канальные транзисторные модули) 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL3705NS, IRL3705NSTRL, IRL3705NSTRR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74HC366D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | FAIR |
|
|
|||
| 74HC366D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) |
|
53.52 | ||||
| 74HC366D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | PHILIPS |
|
|
|||
| 74HC366D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | NXP |
|
|
|||
| 74HC366D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | PHILIPS | 217 |
|
|||
| 74HC366D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | КИТАЙ |
|
|
|||
| 74HC366D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 119 |
|
|||
| 74HCT366D | NXP |
|
|
|||||
| 74HCT366D | NXP |
|
|
|||||
| 74HCT366D |
|
|
||||||
| 74HCT366D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 592 |
|
|||||
| ЖАЛО ДЛЯ ПАЯЛЬНИКА ZD N1-1 (ZD-929) |
|
|
||||||
| ЖАЛО ДЛЯ ПАЯЛЬНИКА ZD N1-1 (ZD-929) | КИТАЙ |
|
|
|||||
| ЖАЛО ДЛЯ ПАЯЛЬНИКА ZD N1-1 (ZD-929) | S-LINE |
|
|
|||||
 |
КП302А1 | 957 | 15.12 | |||||
|
|
КП302А1 | ВИННИЦА |
|
|
||||
 |
 |
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ... | 16 | 555.00 | ||
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ... | МИНСК |
|
|
