AUIRF7739L2TR
|
Версия для печати
| Power - Max | 3.8W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11880pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 375A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 160A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric L8 |
| Корпус | DIRECTFET L8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
