|
|
Версия для печати
| Корпус | 14-SOIC |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 2 V ~ 6 V |
| Ток выходной макс., мин. | 5.2mA, 5.2mA |
| Число каналов | 4 |
| Число входов | 2 |
| Логический тип | NAND Gate with Open Drain |
| Серия | 74HC |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
SN74HC03 (Вентили NAND (И-НЕ)) QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS Также в этом файле: SN74HC03DR, SN74HC03DT
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KU80386EX25 | INTEL |
|
|
|||||
| KU80386EX25 |
|
|
||||||
| KU80386EX25 | INTEL |
|
|
|||||
| KU80386EX25 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 215 |
|
|||||
| M5M5408BFP-70H | MITSUBISHI |
|
|
|||||
| M5M5408BFP-70H | MITSUBISHI |
|
|
|||||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C |
|
649.44 | ||||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG |
|
|
|||
| REF198ESZ |
|
ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 304 |
|
|||
| ЧИП 1206 10M 1% | KOME |
|
|
|||||
| ЧИП 1206 10M 1% | YAGEO |
|
|