| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
470МКФ 50В 105° TK (10X20) КОНДЕНСАТОР JAMICON JTK477M050S1AMH20L(TKR471M1HG20R) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
82МКФ 400В 105°CD294 (22Х26) КОНДЕНСАТОР ELZET |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
|
|
130.80
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
США
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
|
1 680
|
15.85
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
MIC
|
52
|
32.13
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
YJ
|
11 708
|
12.44
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
---
|
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
HOTTECH
|
4 219
|
24.13
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
KLS
|
4
|
22.07
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
LGE
|
216
|
16.53
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
SUNTAN
|
78
|
16.97
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
YANGJIE
|
2 240
|
21.42
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
XSEMI
|
2 298
|
13.96
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
1000
|
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
SHUNYE
|
400
|
11.14
|
|
|
|
|
ST13003-K |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ST13003-K |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
435
|
21.70
|
|
|
|
|
ST13003-K |
|
|
|
20
|
49.14
|
|
|
|
|
ST13003-K |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
ST13003-K |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
Версия для печати
