Версия для печати
Технические характеристики S14K11

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	StandarD
Varistor Voltage	18V
Current-Surge	1.0kA
Число каналов	1
Maximum AC Volts	11VAC
Maximum DC Volts	14VDC
Energy	3.2J
Корпус (размер)	Disc 14mm

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

TVS

 » 

Варисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			28.00
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	0.00
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		764	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	476	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.73
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	20 823	10.44
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	3 958	3.41
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	6 400	3.52
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	ST MICROELECTRONICS	32 857	54.94
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	STMicroelectronics
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	4-7 НЕДЕЛЬ	384
		LM235Z		=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	70
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	КРЕМНИЙ	532	14.84
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...		793	34.02
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	МИНСК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	БРЯНСК	5 444	17.60
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ЭЛЕКС	104	46.49
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	6969

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"