Версия для печати
Технические характеристики B39380K2973M100

Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	5-SIP
Сфера применения	TV
Insertion Loss	17.1dB
Filter Type	Bandpass
Частота	38MHz Center
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequency	38MHz Center

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Фильтры

 » 

Фильтры на ПАВ (SAW)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FAIR
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	PHILIPS
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный		396	22.20
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	МАРОККО
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	1
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NEXPERIA
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FUMAN	1 924	4.59
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP/NEXPERIA	1 240	11.52
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	4-7 НЕДЕЛЬ	316
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		91 984	1.06
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	485	2.69
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	20 341	2.31
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	93 506	1.35
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	11	2.77
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	2.43
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	118 887	1.49
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	193 832	1.36
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	XXW	76 368	1.16
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	CJ	8 000	2.00  >100 шт.   1.00
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	10 437	2.17
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	35 563	3.75
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	522 720	1.62  >100 шт.   0.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		45 325	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.60
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	5 057	1.62  >100 шт.   0.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	132 408	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	76 800	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	177 011	1.34  >100 шт.   0.67
		CXA1691BM		AM/FM радиоприемник Vcc=2-8.5V, 0.5W (6V/8 Ом)	SONY	4	132.30
		CXA1691BM		AM/FM радиоприемник Vcc=2-8.5V, 0.5W (6V/8 Ом)			74.28
		CXA1691BM		AM/FM радиоприемник Vcc=2-8.5V, 0.5W (6V/8 Ом)	МАЛАЙЗИЯ
		CXA1691BM		AM/FM радиоприемник Vcc=2-8.5V, 0.5W (6V/8 Ом)	SONY1
		CXA1691BM		AM/FM радиоприемник Vcc=2-8.5V, 0.5W (6V/8 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	421
		КВ109Г		Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...		146	7.56
		КВ109Г		Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...	ДНЕПР	1 172	10.50

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"