NSS1C201LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NSS1C201LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 015	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NSS1C201LT1G

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 2V
Power - Max	490mW
Frequency - Transition	110MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.