| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
225 607
|
2.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
37 723
|
3.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
31 647
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 239 532
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
60 083
|
1.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 863
|
2.56
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 432 151
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
247 704
|
2.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
95 531
|
3.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
221 600
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
4
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
110 947
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 116
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
MC33074DG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33074DG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC33074DG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33074DG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MC33074DG |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MC33074DG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
10.15
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
WEINTRON TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
|
4
|
6.80
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
DIOTEC
|
20
|
1.02
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
364
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NXP
|
27
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
52
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
INFINEON
|
61
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
HOTTECH
|
38 349
|
1.67
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
SEMTECH
|
28
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FUXIN
|
19 636
|
1.06
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YJ
|
197 974
|
1.03
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGJIE
|
12 856
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
JSCJ
|
83 315
|
1.99
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FULIHAO TECH
|
736
|
8.27
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
1 857
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
50
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
30
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
|
33 736
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
UTC
|
11 310
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIOTEC
|
592
|
1.02
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
9 780
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
7 462
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
9 897
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGWELL TECHINOLOGY CORP LTD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
RECTRON
|
52
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
INFINEON
|
17
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
HOTTECH
|
35 788
|
1.38
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YJ
|
460 091
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
JSCJ
|
17 057
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KEEN SIDE
|
10 013
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YANGJIE
|
6 544
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
7234
|
|
|
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
|
|
|
|