BZV55-C6V2.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BZV55-C6V2.115 (NEX-NXP)	20 452	2.09

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-C6V2.115

Производитель	NXP
Количество в упаковке	2500 шт.
Вес	0.062 г
Voltage - Withstanding	6.2 В
Voltage - Working	64 мА
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	10 Ом
Voltage Range	5 мА
Корпус (размер)	SOD80
Рабочая температура	-65...200 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NEX-NXP
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	NXP
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	PHILIPS
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	DC COMPONENTS	166 067	1.72
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	NXP	711
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	PHILIPS
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	KINGTRON
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	NEXPERIA	34	1.44
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	HOTTECH
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	KEEN SIDE	627	1.41 >500 шт. 0.47
BZV55-C5V6	Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж	43
ECAP 470/25V 1016 105C WL	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 20%, 105°C	SAMWHA
ECAP 470/25V 1016 105C WL	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 20%, 105°C
LM2596S-3.3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2596S-3.3			319	200.00
LM2596S-3.3		NSC	4	472.38
LM2596S-3.3		NATIONAL SEMIC
LM2596S-3.3		TEXAS INSTRUMENTS
LM2596S-3.3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2596S-3.3		YOUTAI	275	27.98
LM2596S-3.3		4-7 НЕДЕЛЬ	596
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	НАЛЬЧИК
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	1900