BZV55-C6V2.115
|
|
Версия для печати
| Производитель | NXP |
| Количество в упаковке | 2500 шт. |
| Вес | 0.062 г |
| Voltage - Withstanding | 6.2 В |
| Voltage - Working | 64 мА |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10 Ом |
| Voltage Range | 5 мА |
| Корпус (размер) | SOD80 |
| Рабочая температура | -65...200 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2200МКФ 10В 105° RD (10X20) КОНДЕНСАТОР SAMWHA RD1A228M10020BB |
|
|
||||||
 |
 |
BZV55-C24,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-C24,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BZV55-C24,115 |
|
NEX |
|
|
||
 |
|
BZV55-C3V3.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В | NEX-NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В |
|
|
||
 |
|
LM2596S-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LM2596S-3.3 | 319 | 200.00 | ||||
|
|
|
LM2596S-3.3 | NSC | 4 | 472.38 | |||
|
|
|
LM2596S-3.3 | NATIONAL SEMIC |
|
|
|||
|
|
|
LM2596S-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
|
LM2596S-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LM2596S-3.3 | YOUTAI | 143 | 41.32 | |||
|
|
|
LM2596S-3.3 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 596 |
|
|||
 |
|
КТ315Д ЖЕЛТ. |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... |
|
|
||
|
|
|
КТ315Д ЖЕЛТ. |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | НАЛЬЧИК |
|
|
|
|
|
|
КТ315Д ЖЕЛТ. |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | 1900 |
|
|
