Версия для печати
Технические характеристики 74HCT164D.653

Производитель	NXP
Количество в упаковке	2500 шт.
Вес	0.375 г
Корпус (размер)	SO14-150

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 648	1.86
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	28 661	3.17
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	53 732	1.58  >100 шт.   0.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	288 817	1.66  >100 шт.   0.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		83	1.28  >100 шт.   0.64
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.65
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	3 479	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	105 323	1.89
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	50 400	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	139 820	1.44  >500 шт.   0.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	3 360	1.41  >500 шт.   0.47
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 732	1.32  >500 шт.   0.44
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DAYA	4 800	1.30
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEXIN	4 800	1.30
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ZITEK	4 000	1.30
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	3000
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	RUME	72 000	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SLKOR	21 600	1.47  >500 шт.   0.49
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	VISHAY	7	22.32
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	INFINEON
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE ON OPTOELECTRONICS
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	MOTOROLA
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	VISHAY	1 920
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LIT	4 825	8.67
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA		18	56.70
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE-ON
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	9
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	MOTOROLA	171	22.32
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	EVERLIGHT	1 320	22.32
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	FAIRCHILD	35	22.32
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	1
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	TOSHIBA	8	22.32
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	1600
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	36
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	RECTIFIER
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	VISHAY
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт			70.24
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS	14
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	Vishay/Siliconix
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	STMicroelectronics
		IRF540		Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	КИТАЙ
		MCP23016-I/SO			MICRO CHIP
		MCP23016-I/SO					254.00
		MCP23016-I/SO			MICRO CHIP
		MCP23016-I/SO			Microchip Technology
		MCP23016-I/SO			4-7 НЕДЕЛЬ	164
		UA741CD					26.12
		UA741CD			TEXAS INSTRUMENTS
		UA741CD			PHILIPS
		UA741CD			SGS
		UA741CD			ST MICROELECTRONICS	21 417	14.88
		UA741CD			PHILIPS
		UA741CD			SGS THOMSON
		UA741CD			ST MICROELECTRONICS SEMI
		UA741CD			STMicroelectronics
		UA741CD			ГЕРМАНИЯ
		UA741CD			TEXAS INSTRUMENTS	276
		UA741CD			TEXAS
		UA741CD			4-7 НЕДЕЛЬ	745

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"