74HC4094D.653

8Stage Shift/Bus Store Reg

Версия для печати

Технические характеристики 74HC4094D.653

Производитель	NXP
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	0.180 г
Корпус (размер)	SO16-150

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATTINY13-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, 32x8 ...	ATMEL
ATTINY13-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, 32x8 ...			101.96
ATTINY13-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, 32x8 ...	США
ATTINY13-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, 32x8 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ATTINY13-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP
ATTINY13-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, 32x8 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	264
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов		25 579	8.57
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	BM
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	CONNFLY
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов		25 579	8.57
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	KLS	4 000	16.53
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	NXU	5 440	20.66
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	RUICHI	988	11.53
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	CHINA	110	7.24
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	КИТАЙ
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	KEEN SIDE	9 400	6.87
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	88
IRF4905PBF	Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF4905PBF	Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	3
IRF4905PBF	Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...		592	68.05
IRF4905PBF	Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...	INFINEON	2 009	51.66
IRF4905PBF	Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...	5
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		667	11.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 152	16.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	3 120	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000
КТ399АМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...			38.20
КТ399АМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...	СВЕТЛАНА	266	41.38
КТ399АМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...	RUS