![]() |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N60 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
1N60 |
![]() |
![]() |
||||||
2С530А | 841 | 12.95 | ||||||
2С530А | НЗПП | 725 | 15.36 | |||||
2С530А | НОВОСИБИРСК | 2 023 | 21.00 | |||||
BAR63-03WE6327 | INFINEON |
![]() |
![]() |
|||||
BAR63-03WE6327 |
![]() |
34.24 | ||||||
BAR63-03WE6327 | INFINEON | 15 076 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
МП41А |
![]() |
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | 159 | 12.95 | ||
![]() |
![]() |
МП41А |
![]() |
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | ПЛАНЕТА | 149 | 10.50 | |
![]() |
![]() |
МП41А |
![]() |
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | РОССИЯ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
МП41А |
![]() |
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | МОСКВА |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
ФД256 |
![]() |
Фотодиод кремниевый 10В, 0,02 мкА/лк > 0,02 | 118 | 184.00 | ||
![]() |
![]() |
ФД256 |
![]() |
Фотодиод кремниевый 10В, 0,02 мкА/лк > 0,02 | RUS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
ФД256 |
![]() |
Фотодиод кремниевый 10В, 0,02 мкА/лк > 0,02 | КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ | 112 | 413.28 |
|
Корзина
|