|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N60 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 1N60 |
|
|
||||||
| 2С530А | 681 | 12.95 | ||||||
| 2С530А | НЗПП | 885 | 15.52 | |||||
| 2С530А | НОВОСИБИРСК | 2 373 | 21.00 | |||||
| 2С530А | 1137 |
|
|
|||||
| 2С530А | 400 |
|
|
|||||
| 2С530А | 484 |
|
|
|||||
| 2С530А | 527 |
|
|
|||||
| 2С530А | 77 |
|
|
|||||
| 2С530А | 79 |
|
|
|||||
| 2С530А | 99 |
|
|
|||||
| BAR63-03WE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BAR63-03WE6327 |
|
34.24 | ||||||
| BAR63-03WE6327 | INFINEON | 15 076 |
|
|||||
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | 107 | 12.95 | ||
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | ПЛАНЕТА | 100 | 10.50 | |
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | РОССИЯ |
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | МОСКВА |
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | 126 |
|
|
|
|
|
|
ФД256 |
|
Фотодиод кремниевый 10В, 0,02 мкА/лк > 0,02 | 8 | 166.50 | ||
|
|
|
ФД256 |
|
Фотодиод кремниевый 10В, 0,02 мкА/лк > 0,02 | RUS |
|
|
|
|
|
|
ФД256 |
|
Фотодиод кремниевый 10В, 0,02 мкА/лк > 0,02 | КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ | 152 | 413.28 |