| Производитель | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. |
| Допуск емкости | ±10% |
| Номинальное напряжение | 25 В |
| Ток утечки | 11.8 мкА |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.08 |
| Эквивалентное последовательное сопротивление | 700 мОм мОм |
| Максимальный ток пульсаций | 460 мА |
| Код корпуса | D |
| Монтаж | SMD_7343-31 |
| Размер корпуса | 7.3x4.3x2.8 мм |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Standard Industrial Grade |
| Емкость | 47 мкФ |
| Серия | 293D |
| Корпус (размер) | 7343-31 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Электролитический танталовый |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Допустимые отклонения емкости | ±10% |
| Tolerance | ±10% |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | 700.0 mOhm |
| Тип | Molded |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Size / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Высота | 0.122" (3.10mm) |
| Manufacturer Size Code | D |
| Возможности | General Purpose |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
144
|
93.29
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
|
|
220.00
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
25
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
638
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
2 358 320
|
0.93
>500 шт. 0.31
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
|
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
20 644
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
23 088
|
8.27
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
1 288
|
7.36
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
336
|
4.13
|
|
|
|
|
RC0805JR-0710R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 10
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0710R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 10
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
К73-16-0.68МКФ250В10% |
|
|
|
80
|
26.55
|
|
Версия для печати
