|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
|
|
101.20
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TMP86FS49AUGZ |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TMP86FS49AUGZ |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
|
92
|
22.08
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
ВОРОНЕЖ
|
4 516
|
16.80
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
БРЯНСК
|
189
|
25.20
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ805ИМ |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|