NTJD4105CT2G


NTJD4105CT2G (заказ)
NTJD4105CT2G

Технические характеристики NTJD4105CT2G

Input Capacitance (Ciss) @ Vds46pF @ 20V
Gate Charge (Qg) @ Vgs3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss)20V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs375 mOhm @ 630mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max270mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru