| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
DC COMPONENTS
|
21 631
|
4.96
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
|
4 840
|
3.87
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
YJ
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
KEEN SIDE
|
1 840
|
5.09
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
81.20
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
1 431
|
89.28
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
EVVO
|
749
|
42.20
|
|
|
|
TLE2141CP |
|
Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TLE2141CP |
|
Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В
|
|
|
|
|
|
|
TLE2141CP |
|
Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TLE2141CP |
|
Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
190
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2 140
|
17.64
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
507
|
14.84
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
111
|
1 229.76
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
184
|
1 116.00
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
100
|
1 306.70
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
82
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
84
|
|
|
|