FUSE5X20MM1A250VAC

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SA965	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)	TOSHIBA
2SA965	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)	TOS
2SA965	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)		23.56
2SA965	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)	МАЛАЙЗИЯ
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный		40.00
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	MURATA
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП		17.00
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	Murata Electronics North America
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.		16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С	JAMICON
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С	JAM
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С		140.00
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С	JB