КЦ412В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КЦ412В	2 070	34.02
КЦ412В (ТОМИЛИНО)	32	31.50
КЦ412В	2 070	34.02
КЦ412В (СЗТП)	8	102.06

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...			131.32
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	RENESAS
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS	10
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	CEL
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	ЯПОНИЯ
UPC8211TK-E2-A	Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	742
АЛ307КМ (ПРОТОН)
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	КРИСТАЛЛ
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...		20	136.16
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	УЛЬЯНОВСК	232	304.50
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	ОПТРОН
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	RUS
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	КАЛУГА
АОУ103Б1			12	211.68
АОУ103Б1		СТАРТ
АОУ103Б1		RUS
АОУ103Б1		НПП УРЛЗ
КД209А КАПЛЯ		ФОТОН
КД209А КАПЛЯ
КД209А КАПЛЯ		ТОМИЛИНО