|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
131
|
4.42
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 840
|
4.20
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
968
|
11.34
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
ST MICROELECTRONICS
|
97
|
73.50
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
SGS
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
|
|
2 346.52
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
742
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
2 152
|
37.80
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
696
|
123.98
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ...
|
|
996
|
34.02
|
|
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
1 114
|
11.34
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
12.47
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 443
|
4.20
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 942
|
6.30
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.40
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|