| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
132
|
15.12
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 020
|
4.20
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
916
|
11.34
|
|
|
|
|
J505 |
|
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
J505 |
|
|
|
|
176.40
|
|
|
|
|
J505 |
|
|
|
|
176.40
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
|
|
123.56
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КД513А |
|
|
|
441
|
16.40
|
|
|
|
КД513А |
|
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КД513А |
|
|
БОЛХОВ
|
|
|
|
|
|
КД513А |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД513А |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 600
|
7.56
|
|
|
|
|
КП502А |
|
|
|
371
|
29.44
|
|
|
|
|
КП502А |
|
|
МИНСК
|
1 576
|
35.70
|
|