MMJT350T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMJT350T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	56	3-4 недели Цена по запросу

TRANS BIPO PNP 0.5A 300V SOT-223

Версия для печати

Технические характеристики MMJT350T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Specification Change MSL Updated 2/April/2007
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 50mA, 10V
Power - Max	2.75W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMJT350T1G datasheet