IRF5852TRPBF


2N-канальный 20В 2.7А Micro6

Купить IRF5852TRPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF5852TRPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF5852TRPBF

Power - Max960mW
Input Capacitance (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)Micro6™(TSOP-6)
КорпусMicro6™(TSOP-6)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    0805 0.47UF X7R 10% 50V       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    0805 1UF X7R 10% 25V       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    0805 22PF NPO 5% 50V       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MF3.0 2X07F ОБЖ     AUK Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MF3.0 2X07F ОБЖ       Заказ радиодеталей 50.12 
    MF3.0 2X07F ОБЖ     ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MF3.0 2X07F ОБЖ     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MF3.0 2X07F ОБЖ     KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PLD-16       1 12.95 
    PLD-16     KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PLD-16     KEEN SIDE 2 601 1.98 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход