Версия для печати
Технические характеристики CC0603KRX7R9BB471

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	X7R
Рабочая температура	-55...125 °C
	Multilayer chip capacitance
Размер	1.6x0.8x0.8
Номинальное напряжение	50 В
Температурный коэфициент	X7R
Емкость	470 пФ
Серия	CC_0603
Корпус (размер)	0603
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Thickness	0.031" (0.80mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	6 901	3.55
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 662	3.94
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	712	11.34
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		2 400	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	65 604	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.02
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.80
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	72	1.42  >100 шт.   0.71
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.94  >100 шт.   0.97
		CC0603KRX7R9BB681		Керамический конденсатор 680 пФ 50 В	YAGEO	86 122	0.70  >1000 шт.   0.14
		CC0603KRX7R9BB681		Керамический конденсатор 680 пФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB681		Керамический конденсатор 680 пФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB681		Керамический конденсатор 680 пФ 50 В	YAGEO	2 460
		CC0603KRX7R9BB681		Керамический конденсатор 680 пФ 50 В
		GRM188R71C104KA01D		Керамический конденсатор 0,1uF 16 В	MURATA
		GRM188R71C104KA01D		Керамический конденсатор 0,1uF 16 В		192	32.00
		GRM188R71C104KA01D		Керамический конденсатор 0,1uF 16 В	MURATA	25 600
		GRM188R71C104KA01D		Керамический конденсатор 0,1uF 16 В	Murata Electronics North America
		GRM188R71C104KA01D		Керамический конденсатор 0,1uF 16 В	MUR	93 509	1.26  >500 шт.   0.42
		KG-100-4700		Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 100 В	TREC
		KG-100-4700		Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 100 В			277.28
		KG-100-4700		Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB	ST MICROELECTRONICS	424	12.60
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB	STMicroelectronics
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB	КИТАЙ
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB	ST MICROELECTRONICS SEMI	72 716
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB	YJ	166	13.43
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB	STMICROELECTR
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB	YANGJIE (YJ)
		SMBJ36CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600W 36V SMB

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"