IRFR5410PBF
МОП-Транзистор, P-канальный, Vси = -100В, Rоткр = 0.205 Ом, Ic = -13A, 89Вт
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 66W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 760pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
